© 2016 Икском.Хобби
21.04.2017 в 06:18

Samsung приближается к технологическому барьеру производства DRAM

Samsung приближается к технологическому барьеру производства DRAM

Линейные размеры элементов на кристалле микросхем памяти DRAM последовательно уменьшаются с каждым апгрейдом техпроцесса. При переходе от 40-нанометровых технологий к 30-нанометровым эти размеры (физические размеры «деталей») уменьшались на 5-10 нм во время каждого этапа такого перехода; при переходе к 20-нанометровым — шаг уменьшения размеров снизился до 2-3 нм. На этом этапе большинство производителей перестали указывать точного значение технологических норм (20, 30, 40 нм) и стали указывать просто «20-нм класс», что на практике означало 28, 25, 23 и собственно 20 нм в зависимости от времени производства и существовавших на тот момент технологий.


Когда же начался переход к классу «10 нм», шаг снижения линейных размеров деталей составил и вовсе 1 нм. Samsung и прочие производители DRAM-чипов вплотную подходят к барьеру, когда снижение технологического процесса в рамках современных технологий будет или невозможно вовсе или станет крайне неэффективно экономически. Ожидалось, что таким барьером будет 15-нанометровый техпроцесс, но при текущем, 18-намнометровом, у Samsung уже возникли трудности.

18-нм память выпускается примерно год, но пока это были преимущественно серверные модули. А вот когда на поток встали массовые модели — появились первые проблемы. Месяц назад гигант был вынужден отозвать партию модулей памяти для ноутбуков. Суть проблемы кроется в том, что конденсатор (элемент ячейки памяти) нельзя уменьшать до бесконечности, так как при таких малых размерах взаимные помехи соседних элементов и малая ёмкость самих конденсаторов начинают мешать и вызывать сбои. Для того чтобы чипы продолжали работать при уменьшающихся размерах необходимы новые материалы и, может быть, новая структура ячейки памяти.


Сейчас в компании ведётся разработка 17-нм памяти, которая должна быть завершена до конца текущего года. Массовый же выпуск 17-нм моделей намечен на следующий. Тем не менее, «основным продуктом» в 2018 году станет память с нормами 18 нм. В текущем же году массово выпускаются кристаллы DRAM с нормами 20 нм. Дальше в планах стоит 15-нм память, которая должна быть разработана к 2020 году или чуть позже, в прочем разработка техпроцесса ещё не начата.

Для нас, потребителей, приближение к технологическому барьеру означает, прежде всего, снижение темпов роста производительности, а также рост цен на новые решения (при крайне малом повышении их эффективности). Остаётся ждать и надеяться на инженеров.

Комментарии (0)